ਪਦਾਰਥ ਅਤੇ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਸ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ

ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੇ ਵਿਕਾਸ ਅਤੇ ਵਿਕਾਸ ਦੇ ਨਾਲ, ਓਪਰੇਟਿੰਗ ਮੌਜੂਦਾ, ਕਾਰਜਾਂ ਦਾ ਕੰਮ ਦਾ ਤਾਪਮਾਨ ਹੌਲੀ ਹੌਲੀ ਵੱਧ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤਾ ਜਾ ਰਿਹਾ ਹੈ. ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਅਤੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਕਰਨ ਲਈ, ਚਿੱਪ ਕੈਰੀਅਰਾਂ ਲਈ ਉੱਚ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਅੱਗੇ ਵਧੀਆਂ ਹਨ. ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਥਰਮਲ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ, ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਵ ਪ੍ਰਾਪਰਟੀਜ਼ ਅਤੇ ਉੱਚ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਦੇ ਕਾਰਨ ਇਨ੍ਹਾਂ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਵਸਰਾਵ ਦੇ ਸਬਸਟੇਟਸ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ ਤੇ ਵਰਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ.

ਇਸ ਸਮੇਂ, ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਸ ਵਿੱਚ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਮੁੱਖ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਹਨ: ਅਲੂਮੀਨਾ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ (ਐਸਆਈਸੀ), ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (ਐਸਆਈਸੀ) ਅਤੇ ਬੇਰੀਲੀਅਮ ਆਕਸਾਈਡ (ਬੀਓ).

ਕਰਨਾ

ਮਾ ਨਾਂ	ਸ਼ੁੱਧਤਾ	ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ (ਡਬਲਯੂ / ਕਿ.ਮੀ.)	ਅਨੁਸਾਰੀ ਐਰਕ੍ਰਲਾਈਕ ਅਸਪਸ਼ਟ	ਵਿਘਨ ਦੀ ਤੀਬਰਤਾ (ਕੇਵੀ / ਮਿਲੀਮੀਟਰ ^ (- 1))	ਸੰਖੇਪ ਕੌਮੇ ਐਨ
ਐੱਲ	29	99%	99	10	ਸਭ ਤੋਂ ਵਧੀਆ ਲਾਗਤ ਦੀ ਕਾਰਗੁਜ਼ਾਰੀ, ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਵਿਸ਼ਾਲ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ
ਐੱਲ	99%	150	8.9	15	ਉੱਚ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ, ਪਰ ਵਧੇਰੇ
ਖਰਚੇ	99%	310	6.4	10	ਪਾ powder ਡਰ, ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਜ਼ਹਿਰੀਲੇ ਦੇ ਨਾਲ ,
ਐਸਆਈ 3	ਐਨ	4	99	%	106
9.4	ਦੀ	ਵਰਤੋਂ	ਘੱਟ	ਤੋਂ	ਘੱਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਕਾਰਜਾਂ ਲਈ ਫਿੱਟ ਹੈ

ਹੇਠ ਲਿਖਿਆਂ ਲਈ ਇਨ੍ਹਾਂ 5 ਤਕਨੀਕੀ ਵਸਰਾਵਿਕਾਂ ਦੀਆਂ ਸੰਖੇਪ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਨੂੰ ਵੇਖੋ:

1. ਐਲੂਮੀਨਾ (ਅਲ 2 ਓ 3)

AL2O3 ਹੋਮੋਜੇਨਸ ਪੋਲੀਕ੍ਰਿਤਲ 10 ਕਿਸਮਾਂ ਤੋਂ ਵੱਧ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਅਤੇ ਹੇਠ ਦਿੱਤੇ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਕਿਸਮਾਂ ਦੇ ਹਨ: α-AL2O3, β-ਅਲ 2O3, γ-al2o3, z-al2o3 ਅਤੇ zta-al2o3. ਉਨ੍ਹਾਂ ਵਿਚੋਂ, α-al2o3 ਵਿਚ ਸਭ ਤੋਂ ਘੱਟ ਗਤੀਵਿਧੀ ਹੈ ਅਤੇ ਚਾਰ ਮੁੱਖ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਰੂਪਾਂ ਵਿਚ ਸਭ ਤੋਂ ਘੱਟ ਸਥਿਰ ਹੈ, ਅਤੇ ਇਸ ਦਾ ਯੂਨਿਟ ਸੈੱਲ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਪ੍ਰਣਾਲੀ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ. α- Al2O3 ਬਣਤਰ ਤੰਗ, ਕੌਰੰਡਮ ਬਣਤਰ ਹੈ, ਨਿਰੰਤਰ ਸਾਰੇ ਤਾਪਮਾਨ ਤੇ ਨਿਰੰਤਰ ਮੌਜੂਦ ਹੋ ਸਕਦਾ ਹੈ; ਜਦੋਂ ਤਾਪਮਾਨ 1000 ~ 1600 ° C ਤੇ ਪਹੁੰਚ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਤਾਂ ਹੋਰ ਰੂਪਾਂ ਨੂੰ α- AL2O3 ਵਿੱਚ ਬਦਲਿਆ ਜਾਵੇਗਾ.

ਚਿੱਤਰ 1: AL2O3 ਦਾ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਮਾਈਕ੍ਰੋਸਟ੍ਰੋਸਟ੍ਰੋਟਰ

AL2O3 ਮਾਸ ਭਾਗ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ ਅਤੇ ਅਨੁਸਾਰੀ ਸ਼ੀਸ਼ੇ ਦੇ ਪੜਾਅ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦੇ ਨਾਲ, AL2O3 ਵਸਰਾਜੀ ਦੀ ਥਰਮਟ ਚਾਲਤ 99% ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਗਈ, ਇਸ ਦੇ ਮੁਕਾਬਲੇ ਇਸ ਦੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲ ਚਲਣ ਦੀ ਤੁਲਨਾ ਦੁੱਗਣੀ ਕੀਤੀ ਗਈ, ਜਦੋਂ ਪੁੰਜ ਦਾ ਹਿੱਸਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ 90%.

ਹਾਲਾਂਕਿ ਐਲ 2 ਓ 3 ਦੇ ਪੁੰਜ ਭਾਗ ਨੂੰ ਵਧਾ ਸਕਦੇ ਹਨ

2. ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ (ਅੱਲਨ)

ਅੱਲਨ ਇਕ ਕਿਸਮ ਦਾ ਸਮੂਹ ⅲ-v ਕੌਰਿਟੀ structure ਾਂਚੇ ਨਾਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ. ਇਸ ਦਾ ਯੂਨਿਟ ਸੈੱਲ Aln4 ਟੈਟ੍ਰਾਧੀਲ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਹੈਕਸਾਗੋਨਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਿਸਟਮ ਨਾਲ ਸਬੰਧਤ ਹੈ ਅਤੇ ਇਸ ਦੇ ਮਜ਼ਬੂਤ ​​ਮਕੈਨੀਕਲ ਗੁਣਾਂ ਅਤੇ ਉੱਚ ਝੁਕਣ ਦੀ ਤਾਕਤ ਹੈ. ਸਿਧਾਂਤਕ ਤੌਰ 'ਤੇ, ਇਸ ਦੀ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਘਣਤਾ 3.2611g / cm3 ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਇਸ ਵਿਚ ਕਮਰੇ ਦੇ 320 ਵੇਂ ਜਾਂ ਸਬਰ ਵਾਲੇ ਫਾਇਰਿੰਗ ਐਰ ਐਨ ਦੀ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਦਾ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ ਹੈ ਅਤੇ ਘਟਾਓਣਾ 150 ਵੀਂ / (ਐਮ ਕੇ ਕੇ) ਤੱਕ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ 5 ਡਾਲਰ ਤੋਂ ਵੱਧ ਹੈ. ਥਰਮਲ ਦਾ ਵਾਧਾ ਕਾਫਲਾ 3.8 × 10-6 ~ 4.1 × 10-6 / ℃ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਐਸ.ਆਈ.ਸੀ. ਅਤੇ ਗਾਵਾਂ ਵਰਗੇ ਥਰਮਲ ਫੈਲਾਅ ਨਾਲ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ.

ਚਿੱਤਰ 2: ਅਲਮੀਨੀਅਮ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ ਦਾ ਪਾ powder ਡਰ

ਐੱਲ ਐਨ ਸੀਰਾਮਿਕਸ ਕੋਲ ਐਲ 2 ਵੀ 3 ਦੇ ਵਸਰਾਵਿਕਾਂ ਨਾਲੋਂ ਵਧੇਰੇ ਆਚਰਣ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਹੌਲੀ ਹੌਲੀ ਉੱਚੇ ਗਰਮੀ ਦੇ ਚਾਲਾਂ ਦੀ ਜ਼ਰੂਰਤ ਹੈ, ਅਤੇ ਵਿਆਪਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਹਨ. ਐੱਲ ਐਨ ਵਸਰਾਵਿਕ ਨੂੰ ਉਨ੍ਹਾਂ ਦੇ ਹੇਠਲੇ ਸੈਕੰਡਰੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੇ ਕਾਰਨ ਪਾਵਰ ਵੈੱਕਯੁਮ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਦੀ energy ਰਜਾ ਡਿਲਿਵਰੀ ਵਿੰਡੋ ਲਈ ਤਰਜੀਹ ਦਿੱਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ.

3. ਸਿਲੀਕਾਨ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ (ਐਸਆਈ 3 ਐਨ 4)

ਸਿ 3n4 ਤਿੰਨ ਕ੍ਰਿਸਟਲ structures ਾਂਚਿਆਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਗੈਰ-ਪ੍ਰਤੱਖ ਬੰਧਨ ਵਾਲਾ ਮਿਸ਼ਰਿਤ ਹੈ: α-si3n4, β-si3n4, ਅਤੇ γ-si3n4. ਉਨ੍ਹਾਂ ਵਿਚੋਂ, α-si3n4 ਅਤੇ β-si3n4 ਸਭ ਤੋਂ ਆਮ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਰੂਪ ਹਨ, ਹੇਕਸਾਗੋਨਲ ਬਣਤਰ ਦੇ ਨਾਲ. ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਿਡਰਲ ਚਾਲਕ ਦੀ ਥਰਮਾ ਜਾ ਰਿਹਾ ਹੈ 400 ਡਬਲਯੂ / (ਮੀ. ਕੇ). ਹਾਲਾਂਕਿ, ਇਸ ਦੇ ਫੋਨਨ ਗਰਮੀ ਦੇ ਤਬਾਦਲੇ ਦੇ ਕਾਰਨ, ਜਾਲੀ ਦੇ ਖਿਝੇ ਹੋਏ ਅਤੇ ਅਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੇ ਵਾਧੇ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣਦੀ ਹੈ . ਅਨੁਪਾਤ ਅਤੇ ਗਾਇਕੀਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਨੂੰ ਅਨੁਕੂਲ ਕਰਕੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ 106 ਡਬਲਯੂ / (ਐਮ.ਕੇ.) ਤੇ ਪਹੁੰਚ ਗਈ ਹੈ. ਐਸਆਈ 3n4 ਦਾ ਥਰਮਲ ਫੈਲਾਕ ਦਾ ਗੁਣਵਤਾ ਲਗਭਗ 3.0 × 10-6 / ਸੀ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਐਸਆਈ, ਐਸਆਈਸੀ ਅਤੇ ਗਾਇਸ ਸਮੱਗਰੀ ਨਾਲ ਮੇਲ ਖਾਂਦਾ ਹੈ, ਜੋ ਕਿ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲ ਚਲਣ ਦੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣਾਂ ਲਈ ਇਕ ਆਕਰਸ਼ਕ ਵਸਰਾਵਿਕ ਘਟਾਓ ਪਦਾਰਥ.

ਚਿੱਤਰ 3: ਸਿਲੀਕਾਨ ਨਾਈਟ੍ਰਾਈਡ ਦਾ ਪਾ powder ਡਰ

ਮੌਜੂਦਾ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਸ ਵਿੱਚ, ਐਸਆਈ 3 ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਸ ਨੂੰ ਸ਼ਾਨਦਾਰ ਜਾਇਦਾਦ, ਉੱਚ ਮਕੈਨੀਕਲ ਤਾਕਤ, ਉੱਚ ਤਾਪਮਾਨ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧ ਅਤੇ ਡਰੇਕਟ੍ਰਿਕ ਕਮੀ, ਰੋਮਾਂਸ ਅਤੇ ਖੋਰ ਪ੍ਰਤੀਕਰਮ, ਕਸ਼ਟ ਦੇ ਵਿਰੋਧ ਵਿੱਚ. ਇਸ ਸਮੇਂ, ਇਸ ਨੂੰ ਆਈਜੀਬੀਟੀ ਮੋਡੀ module ਲ ਪੈਕਜਿੰਗ ਵਿੱਚ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਹੌਲੀ ਹੌਲੀ ਐਲ 2 ਓ 3 ਦੀ ਥਾਂ ਲੈਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਐੱਲ ਐਨ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਬਸਟੇਡਸ ਬਦਲਦਾ ਹੈ.

4.ਸਿਲਿਕਨ ਕਾਰਬਾਈਡ (ਐਸਆਈਸੀ)

ਸਿੰਗਲ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਐਸਆਈਸੀ ਤੀਜੀ ਪੀੜ੍ਹੀ ਦੇ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਸਮੱਗਰੀ ਵਜੋਂ ਜਾਣੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਦੇ ਵੱਡੇ ਬੈਂਡ ਦੇ ਪਾੜੇ, ਉੱਚ ਟੁੱਟਣ ਵਾਲੀ ਵੋਲਟੇਜ, ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਆਵਾਜਾਈ ਅਤੇ ਉੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨ ਦੀ ਸੰਤ੍ਰਿਪਤ ਦੀ ਗਤੀ.

ਇਸ ਦੇ ਵਿਰੋਧ ਨੂੰ ਵਧਾਉਣ ਲਈ ਬੇਓ ਅਤੇ ਬੀ 2 ਓ 3 ਨੂੰ ਸੀ.ਆਈ.ਸੀ. ਨੂੰ ਜੋੜ ਕੇ, ਫਿਰ 1900 ਦੇ ਉੱਪਰ ਦੇ ਤਾਪਮਾਨ ਵਿਚ ਅਨੁਸਾਰੀ ਸਾਇਕਟਰਿੰਗ ਐਡਿਟਿਵਜ਼ ਜੋੜ ਕੇ, ਤੁਸੀਂ 98% ਤੋਂ ਵੱਧ ਸੀ.ਆਈ.ਸੀ. ਦੇ ਘਣਤਾ ਨੂੰ ਵਧਾ ਸਕਦੇ ਹੋ. ਵੱਖੋ ਵੱਖਰੇ ਪਾਪਟਰਿੰਗ ਵਿਧੀਆਂ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀਆਂ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀਆਂ ਸ਼ੁੱਧਤਾਵਾਂ ਦੁਆਰਾ ਤਿਆਰ ਕੀਤੀਆਂ ਸ਼ੁੱਧਤਾ ਨਾਲ ਸਨਸਕ ਸਿੰਮਿਕਸ ਦੀ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ 100 ~ 490W / (ਐਮਕਾ ਕੇ) 100 ~ 490W / (ਐਮ.ਡੀ.ਈ.) ਹੈ. ਕਿਉਂਕਿ ਐਸਆਈਸੀ ਦੇਹਾਂ ਦਾ ਆਯੋਜਨ ਬਹੁਤ ਵੱਡਾ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਇਹ ਸਿਰਫ ਘੱਟ ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਕਾਰਜਾਂ ਲਈ suitable ੁਕਵਾਂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਅਤੇ ਉੱਚ-ਬਾਰੰਬਾਰਤਾ ਕਾਰਜਾਂ ਲਈ suitable ੁਕਵਾਂ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦਾ.

5. ਬੇਰੀਲੀਆ (ਬੀਓ)

ਬੀਓ ਕੌਰਟਜ਼ਾਈਟ ਬਣਤਰ ਹੈ ਅਤੇ ਸੈੱਲ ਕਿ cs ਬਿਕ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਸਿਸਟਮ ਹੈ. ਇਸ ਦੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲਕਤਾ 99% ਬੀਓ ਦੇਸਰਾਮੀਆਂ ਦਾ ਬਹੁਤ ਹੀ ਉੱਚ, 99% ਬੀਓ ਦੇ ਵਸਰਾਵਿਕਾਂ, ਇਸ ਦੇ ਥਰਮਲ ਚਾਲ ਚਲਣ (ਐਮ ਕੇ.ਟੀ.ਟੀ) ਦਾ ਲਗਭਗ 10 ਗੁਣਾ ਚਾਲਕਤਾ ਨਾਲ ਪਹੁੰਚ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਨਾ ਸਿਰਫ ਇੱਕ ਬਹੁਤ ਹੀ ਉੱਚ ਗਰਮੀ ਦਾ ਤਬਾਦਲਾ ਸਮਰੱਥਾ, ਪਰ ਘੱਟ ਡੀ-ਬੈਲੈਕਟ੍ਰਿਕ ਨਿਰੰਤਰ ਅਤੇ ਮਕੈਨੀਕਲ ਸੰਪਤੀਆਂ ਅਤੇ ਤਕਨੀਕੀ ਨੁਕਸਾਨਾਂ ਅਤੇ ਸਰੂਪਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਾਂ ਦੀ ਵਰਤੋਂ ਵਿੱਚ ਤਰਜੀਹ ਦਿੱਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ.

ਚਿੱਤਰ 5: ਬੇਰੀਲੀਆ ਦਾ ਕ੍ਰਿਸਟਲ structure ਾਂਚਾ

ਬੀਓ ਦੀਆਂ ਉੱਚ ਥਰਮਲ ਚਾਲਾਂ ਅਤੇ ਘੱਟ ਘਾਟੇ ਦੀਆਂ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾਵਾਂ ਹੋਰ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਮੱਗਰੀ ਦੁਆਰਾ ਬੇਮਿਸਾਲ ਹਨ, ਪਰ ਬੇਓ ਦੀਆਂ ਬਹੁਤ ਸਪੱਸ਼ਟ ਕਮੀਆਂ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਸਦਾ ਪਾ powder ਡਰ ਬਹੁਤ ਜ਼ਿਆਦਾ ਜ਼ਹਿਰੀਲਾ ਹੈ.

ਇਸ ਸਮੇਂ, ਚੀਨ ਵਿਚ ਆਮ ਤੌਰ ਤੇ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਸੀਸਰਾਮਿਕ ਘਟਾਓ ਪਦਾਰਥ ਮੁੱਖ ਤੌਰ ਤੇ ਅਲ 2 ਓ 3, ਅਲੇਨ ਅਤੇ ਸਿ 3n4 ਹਨ. ਐਲਟੀਸੀਸੀ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਦੁਆਰਾ ਬਣਿਆ ਵਸਰਾਵਿਕ ਸਬਸਟ੍ਰੇਟ ਪੈਸਿਵ ਭਾਗਾਂ ਨੂੰ ਤਿੰਨ-ਅਯਾਮੀ structure ਾਂਚੇ ਵਿਚ ਪੈਸਿਆਂ ਦੇ ਪ੍ਰਤੀਕ੍ਰਿਆਵਾਂ ਅਤੇ ਜੋੜਕਾਂ ਨੂੰ ਏਕੀਕ੍ਰਿਤ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ. ਸੈਮੀਕੁੰਡਕਰਟਰਾਂ ਦੇ ਏਕੀਕਰਣ ਦੇ ਉਲਟ, ਜੋ ਮੁੱਖ ਤੌਰ ਤੇ ਐਕਟਿਵ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਹਨ, ਐਲਟੀਸੀਸੀ ਕੋਲ ਉੱਚ ਘਣਤਾ 3 ਡੀ ਇੰਟਰਕਨੈਕਟ ਵਾਇਰਸ ਸਮਰੱਥਾ ਹੈ.